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金子健太郎助教が日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 講演奨励賞を受賞

掲載日:2017/04/29

本学科の金子健太郎助教が「新規コランダム構造p型半導体a-Ir2O3の電気特性」の研究に対して、平成28年度日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会講演奨励賞を受賞しました。詳細はこちら