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金子健太郎助教が研究開発奨励賞 及び 研究開発奨励賞 優秀賞 を受賞

掲載日:2016/11/25

本学科の金子健太郎助教が「次世代パワーデバイス半導体の基礎となる酸化ガリウム系混晶の開拓とそのデバイス開発」の研究に対して、一般財団法人 エヌエフ基金より第 5回 研究開発奨励賞 及び 研究開発奨励賞 優秀賞を受賞しました。詳細はこちら