金子健太郎助教が研究開発奨励賞及び研究開発奨励賞優秀賞を受賞

本学科の金子健太郎助教が「次世代パワーデバイス半導体の基礎となる酸化ガリウム系混晶の開拓とそのデバイス開発」の研究に対して、一般財団法人エヌエフ基金より第 5回研究開発奨励賞及び研究開発奨励賞優秀賞を受賞しました。詳細はこちら。

2016年11月25日

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