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田中一君(大学院生)が先進パワー半導体分科会研究奨励賞を受賞

掲載日:2016/11/09

田中一君(木本研)が応用物理学会先進パワー半導体分科会第3回講演会の「p型4H-SiCにおけるHall散乱因子・正孔密度・正孔移動度の理論的検討」の発表に対し、研究奨励賞を受賞しました。