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大石一輝君(佐藤高史研)が、電気学会 電子デバイス・半導体電力変換合同研究会での発表「汎用ゲートドライバICを利用したパワーMOSFETの3レベルアクティブゲート駆動回路」に対し、学生奨励賞を受賞しました。