田中一君（大学院生）が先進パワー半導体分科会研究奨励賞を受賞 https://www.s-ee.t.kyoto-u.ac.jp/ja/news-events/news/kmt02 https://www.s-ee.t.kyoto-u.ac.jp/@@site-logo/logo_電気電子工学科.png 田中一君（大学院生）が先進パワー半導体分科会研究奨励賞を受賞 田中一君（木本研）が応用物理学会先進パワー半導体分科会第3回講演会の「p型4H-SiCにおけるHall散乱因子・正孔密度・正孔移動度の理論的検討」の発表に対し、研究奨励賞を受賞しました。 2016年11月09日 ドキュメントアクション Twitter Facebook
