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新規半導体「コランダム構造酸化ガリウム」を用いて、ノーマリーオフ型MOSFETの動作実証に成功

掲載日:2018/08/09

本学科の藤田静雄教授、金子健太郎助教らの研究グループは、株式会社FLOSFIA(フロスフィア)と共同で、新規材料によるパワーデバイスとして、コランダム構造の酸化ガリウム(Ga_2 O_3 )を用いた電界効果型トランジスタ(MOSFET)を開発し、ノーマリーオフ動作を実証することに成功しました。詳しくはこちら