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小林拓真君(大学院生)が先進パワー半導体分科会研究奨励賞を受賞

掲載日:2015/11/10

小林拓真君(木本研)が応用物理学会・先進パワー半導体分科会第2回講演会の「高濃度p型ボディ層を有するSiC MOSFETにおける移動度劣化要因の検討」の発表に対し、研究奨励賞を受賞しました。