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前田拓也君(大学院生)がIEEE EDS Japan Joint Chapter Student Awardを受賞

掲載日:2019/01/25

電子工学専攻の大学院生 前田拓也君が2018年12月にThe 64th International Electron Devices Meeting (IEDM2018)で行った研究発表「Parallel-Plane Breakdown Fields of 2.8-3.5 MV/cm in GaN-on-GaN p-n Junction Diodes with Double-Side-Depleted Shallow Bevel Termination」 に対して、IEEE EDS Japan Joint Chapter Student Awardを受賞しました。詳しくはこちら