前田拓也君（大学院生）がIEEE EDS Japan Joint Chapter Student Awardを受賞

電子工学専攻の大学院生　前田拓也君が2018年12月にThe 64th International Electron Devices Meeting (IEDM2018)で行った研究発表「Parallel-Plane Breakdown Fields of 2.8-3.5 MV/cm in GaN-on-GaN p-n Junction Diodes with Double-Side-Depleted Shallow Bevel Termination」 に対して、IEEE EDS Japan Joint Chapter Student Awardを受賞しました。詳しくはこちら。