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低損失電力素子として有望なSiCトランジスタの性能を6倍以上向上

掲載日:2021/10/27

木本恒暢 教授(電子工学専攻)、立木馨大 博士後期課程学生らの研究グループは、省エネの切り札と言われるSiC(シリコンカーバイド)半導体で問題になっていた欠陥を独自の手法で大幅に低減し、実用的な構造でSiCトランジスタの性能を6倍以上向上することに成功しました。詳細はこちら