炭化珪素バイポーラトランジスタの開発 https://www.s-ee.t.kyoto-u.ac.jp/ja/news-events/news/SiCBJT https://www.s-ee.t.kyoto-u.ac.jp/@@site-logo/logo_電気電子工学科.png 炭化珪素バイポーラトランジスタの開発 本学科 須田淳准教授（電子工学専攻）と三宅裕樹大学院生、木本恒暢教授のグループが炭化珪素バイポーラトランジスタ(SiC BJT)で世界最高の電流増幅率を実現することに成功しました。 2011年05月17日 ドキュメントアクション Twitter Facebook
