新規半導体「コランダム構造酸化ガリウム」を用いて、ノーマリーオフ型MOSFETの動作実証に成功

本学科の藤田静雄教授、金子健太郎助教らの研究グループは、株式会社FLOSFIA（フロスフィア）と共同で、新規材料によるパワーデバイスとして、コランダム構造の酸化ガリウム（Ga_2 O_3 ）を用いた電界効果型トランジスタ（MOSFET）を開発し、ノーマリーオフ動作を実証することに成功しました。詳しくはこちら。