環境に優しい手法でSiC半導体の性能倍増に成功 https://www.s-ee.t.kyoto-u.ac.jp/ja/news-events/news/kmt41 https://www.s-ee.t.kyoto-u.ac.jp/@@site-logo/logo_電気電子工学科.png 環境に優しい手法でSiC半導体の性能倍増に成功 木本恒暢教授、立木馨大(博士後期課程学生)らの研究グループは、省エネの切り札と言われるSiC(シリコンカーバイド)半導体で長年、問題になっていた欠陥(半導体の不完全性)を、環境に優しい手法で大幅に低減し、SiCトランジスタの性能を2倍に向上することに成功しました。詳細はこちら。 2020年09月08日 ドキュメントアクション Twitter Facebook