三上杏太助教が応用物理学会関西支部 2026年度第1回講演会ポスター賞(最優秀賞)を受賞

三上杏太助教が応用物理学会関西支部 2026年度第1回講演会で行った研究発表「カウンタードープ領域の工夫によるSiC MOSFETの移動度向上」に対して、ポスター賞(最優秀賞)を受賞しました。（2026年5月26日受賞）