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前田拓也君(大学院生)がIWN2018 Student Awardを受賞

掲載日:2018/11/16

電子工学専攻の大学院生 前田拓也君が2018年11月にInternational Workshop on Nitride Semiconductors 2018(IWN 2018)で行った研究発表「Temperature Dependence of Avalanche Multiplication in GaN PN Diodes Measured by Light Absorption Due to Franz-Keldysh Effect」に対して、Student Awardを受賞しました。