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環境に優しい手法でSiC半導体の性能倍増に成功

掲載日:2020/09/08

木本恒暢教授、立木馨大(博士後期課程学生)らの研究グループは、省エネの切り札と言われるSiC(シリコンカーバイド)半導体で長年、問題になっていた欠陥(半導体の不完全性)を、環境に優しい手法で大幅に低減し、SiCトランジスタの性能を2倍に向上することに成功しました。詳細はこちら